Wafer di silicio FZ

Wafer di silicio FZ

FZ Silicon Wafer è un prodotto di alta qualità realizzato utilizzando il metodo Float Zone (FZ). Questo metodo prevede la fusione di un singolo cristallo di silicio e il successivo distacco dalla massa fusa a una velocità lenta e controllata.
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FZ Silicon Wafer è un prodotto di alta qualità realizzato utilizzando il metodo Float Zone (FZ). Questo metodo prevede la fusione di un singolo cristallo di silicio e il successivo distacco dalla massa fusa a una velocità lenta e controllata. Il risultato è un materiale semiconduttore puro e privo di difetti con eccellenti proprietà elettriche.

 

Il wafer di silicio FZ è ampiamente utilizzato nell'industria dei semiconduttori per varie applicazioni, come nella produzione di circuiti integrati, celle solari, sensori e altro ancora. L'elevata purezza e la bassa densità di difetti del wafer lo rendono ideale per dispositivi elettronici ad alte prestazioni che richiedono prestazioni precise e affidabili.

 

FZ Silicon Wafer vanta anche un'eccellente uniformità del materiale e finitura superficiale, che ne migliorano ulteriormente le prestazioni e l'affidabilità. Il wafer è disponibile in vari diametri e spessori per adattarsi alle diverse applicazioni ed esigenze.

 

Nel complesso, FZ Silicon Wafer è un componente essenziale nella produzione di dispositivi elettronici di alta qualità. Le sue eccezionali proprietà contribuiscono a migliorare prestazioni, efficienza e affidabilità, rendendolo un materiale indispensabile per l'industria dei semiconduttori.

 

Crescita

CZ, MCZ, FZ

Grado

Prime, Test, Fittizio, ecc.

Diametro

Sono possibili anche altri diametri, come 10 mm, 12,7 mm, 1,5 ", 35 mm, 40 mm, 2,5"

Spessore

50~3000um

Fine

Come tagliato, lappato, inciso, SSP, DSP, ecc

Orientamento

(100) (111) (110) (211) (311) (511) (531) ecc.

Fuori taglio

Fino a 4 gradi

Tipo/Drogante

P/B, N/Fos, N/As, N/Sb, Intrinseco

Resistività

FZ: fino a 20k ohm-cm

CZ/MCZ: da 0.001 a 150 ohm-cm

Film sottili

* PVD: Al, Cu, Au, Cr, Si, Ni, Fe, Mo, ecc.

* PECVD: Ossido, Nitruro, SiC, ecc.

* Wafer epitassiali di silicio e servizi epitassiali (SOS, GaN, GOI ecc.).

Processi

DSP, ultra sottile, ultra piatto, ecc.

Ridimensionamento, rettifica, cubettatura, ecc.

MEMS

 

Immagine del prodotto
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Perché scegliere noi

 

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Il nostro certificato

 

La nostra azienda è orgogliosa delle varie certificazioni che abbiamo ottenuto, tra cui il nostro certificato di brevetto, il certificato ISO9001 e il certificato National High-Tech Enterprise. Queste certificazioni rappresentano la nostra dedizione all'innovazione, alla gestione della qualità e all'impegno per l'eccellenza.

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