3

 

Informazioni su Sibranch Microelectronics

Fondata nel 2006 e con sede a Ningbo, in Cina, Sibranch Microelectronics è stata fondata da un team di esperti di scienza dei materiali con profonde radici nel settore dei semiconduttori. La nostra missione è fornire wafer per semiconduttori di alta-qualità e servizi correlati a clienti in tutto il mondo.

 

La nostra gamma di prodotti

 

Siamo specializzati in un portafoglio completo di wafer di silicio, tra cui:

  • Wafer standard a lato singolo-lucidato (SSP) e a doppio-lato lucido (DSP)
  • Testare wafer e wafer di prima qualità
  • Wafer di silicio-su-isolante (SOI).
  • Wafer Coinroll
  • Diametri disponibili fino a 12 pollici
  • Metodi di crescita: CZ, MCZ e FZ
  • Opzioni personalizzate: irradiazione di neutroni, qualsiasi orientamento cristallografico, sub-substrati tagliati, ampi intervalli di resistività (alto e basso), wafer ultra-piatti, ultra-sottili e spessi

 

Servizi-a valore aggiunto

 

Oltre alla fornitura di wafer, il nostro team esperto offre capacità di elaborazione avanzate:

  • Deposizione di film sottili (ossido, nitruro, strati metallici)
  • Servizi di crescita epitassiale ed epitassia del silicio (SOS, GaN, GOI, ecc.)
  • Assottigliamento dei wafer, macinazione posteriore e cubettatura

 

Wafer speciali

 

Forniamo anche una vasta gamma di substrati cristallini speciali:

  • Wafer di zaffiro: da 2" a 8", disponibile nel piano A-, piano R-, piano M-, piano C- con opzioni di epi-lucidatura e levigatura fine
  • Wafer GaAs: da 2" a 8", tipo P-, tipo N-, semi-conduttori e semi-isolanti
  • Wafer SiC: politipi da 4" a 12", 4H-N, 6H-N e 6H-SI
  • Wafer di vetro: materiali da 1" a 12", silice fusa, Borofloat e B270
  • Wafer di quarzo monocristallino: orientamenti da 2" a 6", X-cut, Y-cut e Z-cut
2
2001
3001
4001
-2
6001