Descrizione

Parametri tecnici

Ningbo Sibranch Microelectronics Technology Co.,Ltd.: il tuo produttore di fiducia di wafer di silicio da 300 mm!

Fondata nel 2006 da scienziati di scienza dei materiali e ingegneri di Ningbo, Cina, Sibranch Microelectronics mira a fornire wafer semiconduttori e servizi in tutto il mondo. I nostri prodotti principali includono wafer di silicio standard SSP (single side polish), DSP (Double side polish), wafer di silicio di prova e wafer di silicio di prima qualità, wafer SOI (Silicon on Insulator) e wafer a rotolo di monete con diametro fino a 12 pollici, CZ/MCZ/FZ/NTD, quasi qualsiasi orientamento, off cut, alta e bassa resistività, wafer ultrapiatti, ultrasottili, spessi ecc.

Servizio leader
Ci impegniamo a innovare costantemente i nostri prodotti per fornire ai clienti stranieri un gran numero di prodotti di alta qualità per superare la soddisfazione del cliente. Possiamo anche fornire servizi personalizzati in base alle esigenze dei clienti come dimensioni, colore, aspetto, ecc. Possiamo fornire il prezzo più favorevole e prodotti di alta qualità.

Qualità garantita
Abbiamo svolto ricerche e innovazioni continue per soddisfare le esigenze di diversi clienti. Allo stesso tempo, aderiamo sempre a rigidi controlli di qualità per garantire che la qualità di ogni prodotto soddisfi gli standard internazionali.

Paesi di vendita estesi
Ci concentriamo sulle vendite nei mercati esteri. I nostri prodotti vengono esportati in Europa, America, Asia sud-orientale, Medio Oriente e altre regioni e sono ben accolti dai clienti in tutto il mondo.

Vari tipi di prodotti
La nostra azienda offre servizi di lavorazione di wafer di silicio personalizzati, studiati su misura per soddisfare le esigenze specifiche dei nostri clienti. Questi includono Si Wafer BackGrinding, Dicing, DownSizing, Edge Grinding, nonché MEMS, tra gli altri. Ci impegniamo a fornire soluzioni su misura che superino le aspettative e garantiscano la soddisfazione del cliente.

Wafer di silicio CZ

I wafer di silicio CZ sono tagliati da lingotti di silicio monocristallino estratti utilizzando il metodo di crescita Czochralski CZ, che è ampiamente utilizzato nell'industria elettronica per far crescere cristalli di silicio da grandi lingotti di silicio cilindrici utilizzati per produrre dispositivi semiconduttori. In questo processo, un seme di silicio cristallino allungato con una tolleranza di orientamento precisa viene introdotto in una piscina di silicio fuso con temperatura controllata con precisione. Il cristallo seme viene lentamente tirato verso l'alto dalla fusione a una velocità strettamente controllata e la solidificazione cristallina degli atomi in fase liquida avviene all'interfaccia. Durante questo processo di trazione, il cristallo seme e il crogiolo ruotano in direzioni opposte, formando un grande silicio monocristallino con una perfetta struttura cristallina del seme.

Wafer di ossido di silicio

Il wafer di ossido di silicio è un materiale avanzato ed essenziale utilizzato in vari settori e applicazioni high-tech. È una sostanza cristallina ad alta purezza prodotta tramite la lavorazione di materiali in silicio di alta qualità, che lo rende un substrato ideale per molti diversi tipi di applicazioni elettroniche e fotoniche.

Wafer fittizio (rotolo di monete)

I wafer fittizi (chiamati anche wafer di prova) sono wafer usati principalmente per esperimenti e test e sono diversi dai wafer generici per il prodotto. Di conseguenza, i wafer recuperati sono usati principalmente come wafer fittizi (wafer di prova).

Wafer di silicio rivestito in oro

I wafer di silicio rivestiti in oro e i chip di silicio rivestiti in oro sono ampiamente utilizzati come substrati per la caratterizzazione analitica dei materiali. Ad esempio, i materiali depositati su wafer rivestiti in oro possono essere analizzati tramite ellissometria, spettroscopia Raman o spettroscopia infrarossa (IR) grazie all'elevata riflettività e alle proprietà ottiche favorevoli dell'oro.

Wafer epitassiale in silicio

I wafer epitassiali in silicio sono altamente versatili e possono essere realizzati in una gamma di dimensioni e spessori per soddisfare i diversi requisiti del settore. Sono inoltre utilizzati in una varietà di applicazioni, tra cui circuiti integrati, microprocessori, sensori, elettronica di potenza e fotovoltaico.

Ossido termico secco e umido

Prodotto utilizzando le tecnologie più recenti e progettato per offrire affidabilità e coerenza senza pari nelle prestazioni. Thermal Oxide Dry and Wet è uno strumento essenziale per i produttori di semiconduttori in tutto il mondo, in quanto fornisce un modo efficiente per produrre wafer di alta qualità che soddisfano tutti i severi requisiti del settore.

Wafer di silicio da 300 mm

Questo wafer ha un diametro di 300 millimetri, il che lo rende più grande delle dimensioni tradizionali dei wafer. Questa dimensione maggiore lo rende più conveniente ed efficiente, consentendo una maggiore produzione senza sacrificare la qualità.

Wafe di silicio da 100 mm

Il wafer di silicio da 100 mm è un prodotto di alta qualità ampiamente utilizzato nei settori dell'elettronica e dei semiconduttori. Questo wafer è progettato per fornire prestazioni ottimali, precisione e affidabilità, essenziali nella produzione di dispositivi a semiconduttore.

Wafer di silicio da 200 mm

Il wafer di silicio da 200 mm è anche versatile nelle sue applicazioni, con applicazioni nella ricerca e sviluppo, così come nella produzione ad alto volume. Può essere personalizzato in base alle tue specifiche esatte, con opzioni per wafer sottili o spessi, superfici lucidate o non lucidate e altre caratteristiche in base alle tue esigenze specifiche.

Che cosa è un wafer di silicio da 300 mm?

Un wafer di silicio da 300 mm è un materiale essenziale per la produzione di semiconduttori, che si trovano in tutti i tipi di dispositivi elettronici che arricchiscono le nostre vite. Questo disco ultrapiatto è lucidato fino a ottenere una superficie simile a uno specchio e reso il più possibile privo di piccole irregolarità superficiali, il che lo rende l'oggetto più piatto al mondo. È anche ultrapulito, praticamente privo di microparticelle e altre impurità. Queste qualità sono necessarie per poter essere utilizzato come materiale di substrato dei semiconduttori all'avanguardia di oggi.

Vantaggi del wafer di silicio da 300 mm

01/

Affidabilità
I wafer di silicio da 300 mm sono affidabili in una varietà di applicazioni e sono in grado di resistere a temperature elevate senza diminuire la qualità del segnale o della potenza. Ciò significa che otterrai prestazioni migliori e utilizzerai i tuoi wafer di silicio da 300 mm per molti anni con tempi di inattività inferiori rispetto ad altri dispositivi.

02/

Scalabilità
Puoi facilmente tagliare, sbucciare, tagliare a cubetti e dare forma a wafer di silicio da 300 mm in qualsiasi dimensione per soddisfare le tue esigenze applicative. Se il silicio è disponibile in fogli di diametro, puoi utilizzarli così come sono o dividerli in pezzi più piccoli che si adattino alle specifiche del tuo progetto.

03/

Produzione rapida
Il processo di fabbricazione di wafer di silicio da 300 mm è rapido e semplice, adatto a qualsiasi dimensione, forma o requisito applicativo. I wafer di silicio da 300 mm possono essere facilmente tagliati, tagliati a cubetti e sagomati in qualsiasi dimensione richiesta per soddisfare le vostre esigenze.

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Fabbricazione ad alta velocità di wafer di silicio da 300 mm
È piuttosto facile fabbricare wafer di silicio da 300 mm a una velocità molto elevata rispetto ad altri prodotti e metodi di produzione. I dispositivi che utilizzano questi wafer richiedono alta velocità ma anche bassi costi di produzione perché sono utilizzati per un'ampia gamma di applicazioni che richiedono alta precisione come strumentazione, comunicazioni e microelettronica.

Proprietà dei wafer di silicio da 300 mm

I wafer di silicio da 300 mm possiedono una combinazione unica di proprietà fisiche e chimiche che li rendono ideali per l'uso nel settore tecnologico. Queste proprietà includono conduttività elettrica, conduttività termica e resistenza meccanica, tra le altre. Comprendere queste proprietà è essenziale per la progettazione e la fabbricazione di dispositivi elettronici, poiché hanno un impatto diretto sulle prestazioni e l'affidabilità dei dispositivi.

Proprietà elettriche

Una delle proprietà più importanti dei wafer di silicio da 300 mm è la loro conduttività elettrica. Il silicio è un semiconduttore, il che significa che la sua conduttività elettrica si colloca tra quella di un conduttore, come il rame, e quella di un isolante, come il vetro. Le proprietà elettriche del silicio possono essere controllate con precisione introducendo piccole quantità di impurità, un processo noto come drogaggio.

Il drogaggio comporta l'aggiunta di elementi donatori di elettroni, come fosforo o arsenico, o di elementi accettatori di elettroni, come boro o alluminio. L'introduzione di queste impurità crea un eccesso o una carenza di elettroni nel reticolo di silicio, con conseguente silicio di tipo n o di tipo p, rispettivamente. L'introduzione controllata di queste impurità consente la creazione di proprietà elettriche specifiche nel wafer di silicio da 300 mm, essenziale per la fabbricazione di dispositivi semiconduttori.

La capacità di controllare le proprietà elettriche dei wafer di silicio da 300 mm è fondamentale per lo sviluppo di dispositivi elettronici, come transistor, diodi e circuiti integrati. Questi dispositivi si basano sul controllo preciso del flusso di corrente elettrica, reso possibile dalle proprietà elettriche uniche dei wafer di silicio da 300 mm. Le prestazioni, l'efficienza e l'affidabilità dei dispositivi elettronici sono direttamente influenzate dalla qualità e dalla consistenza dei wafer di silicio da 300 mm utilizzati nella loro fabbricazione.

Proprietà termiche

I wafer di silicio da 300 mm presentano anche proprietà termiche uniche che sono fondamentali per la loro funzione nei dispositivi elettronici. Una delle principali proprietà termiche del silicio è la sua conduttività termica, che è la misura della capacità di un materiale di condurre calore. Il silicio ha una conduttività termica relativamente elevata, circa 149 W/m·K a temperatura ambiente. Questa proprietà è fondamentale nei dispositivi elettronici, poiché consente l'efficiente dissipazione del calore generato durante il funzionamento, prevenendo così il surriscaldamento e garantendo l'affidabilità e la longevità del dispositivo.

Un'altra importante proprietà termica del silicio è il suo coefficiente di espansione termica (CTE), che misura quanto il materiale si espande o si contrae con i cambiamenti di temperatura. Il silicio ha un CTE relativamente basso, circa 2,6 µm/(m·K) a temperatura ambiente. Ciò significa che i wafer di silicio da 300 mm non si espandono o si contraggono in modo significativo con i cambiamenti di temperatura, il che è importante nella fabbricazione e nel funzionamento dei dispositivi elettronici. Grandi cambiamenti di dimensione con la temperatura possono portare a sollecitazioni meccaniche e potenziali guasti del dispositivo.

Le proprietà termiche dei wafer di silicio da 300 mm non sono importanti solo per il funzionamento dei dispositivi che vengono utilizzati per produrre, ma anche per il processo di fabbricazione stesso. Molti passaggi del processo di fabbricazione, come il drogaggio e la crescita dell'ossido, comportano alte temperature. L'elevata conduttività termica e il basso CTE dei wafer di silicio da 300 mm consentono di eseguire questi processi in modo efficiente e senza indurre sollecitazioni meccaniche nel wafer.

A cosa serve il wafer di silicio da 300 mm?

Semiconduttore
Anche se altri conduttori sono impiegati in applicazioni più particolari, il silicio è il migliore e il più utilizzato semiconduttore grazie alla sua estrema mobilità sia ad alte temperature che a temperatura ambiente. Ciò che rende il silicio un'opzione eccezionale nei dispositivi elettronici è perché le sue correnti elettriche possono passare attraverso i conduttori di silicio molto più rapidamente rispetto ad altri conduttori.

Wafer di silicio da 300 mm nei dispositivi elettronici
Semiconduttori come il wafer di silicio da 300 mm possono essere utilizzati nella produzione di chip e microchip in gadget elettronici. Grazie all'unicità delle correnti elettriche tramite wafer di silicio da 300 mm, questi semiconduttori vengono utilizzati per creare IC (circuiti integrati). Gli IC fungono da comandi per azioni specifiche in vari dispositivi elettronici.

Il wafer di silicio da 300 mm è l'elemento principale nei circuiti integrati. In parole povere, i circuiti integrati sono un composto di una varietà di elementi elettronici che vengono riuniti per svolgere una funzione particolare. Il silicio è la piattaforma chiave per i gadget semiconduttori. Un wafer è solo una sottile fetta del materiale semiconduttore che funge da substrato per dispositivi microelettronici montati all'interno e sopra il wafer. Anche se può essere semplice collegare i wafer di silicio da 300 mm a dispositivi tecnologici molto particolari che gli individui sognano solo, i wafer di silicio da 300 mm sono molto più vicini di quanto chiunque possa pensare! I wafer di silicio da 300 mm sono utilizzati in computer, smartphone e dispositivi mobili e persino nel sistema di sensori di pressione dei pneumatici. La produzione del wafer di silicio da 300 mm è una parte incredibilmente vitale della creazione e dell'espansione di una vasta gamma di progressi tecnologici.

Nelle celle solari
I wafer di silicio da 300 mm svolgono un ruolo cruciale nella produzione di celle solari, che sono i componenti chiave dei pannelli solari utilizzati per sfruttare l'energia solare. Le celle solari, note anche come celle fotovoltaiche, convertono la luce solare direttamente in elettricità tramite l'effetto fotovoltaico. Questo processo comporta la generazione di un flusso di elettricità in un materiale all'esposizione alla luce. La maggior parte delle celle solari è realizzata in silicio grazie alle sue eccellenti proprietà di semiconduttore. La capacità del silicio di assorbire la luce solare e la sua natura di semiconduttore lo rendono un materiale ideale per le celle solari. Quando la luce solare colpisce il wafer di silicio da 300 mm in una cella solare, eccita gli elettroni, facendoli muovere e creando una corrente elettrica.

Esistono due tipi principali di silicio utilizzati nelle celle solari: silicio monocristallino e silicio policristallino. Il silicio monocristallino è costituito da una struttura monocristallina, che consente il flusso libero e senza ostacoli degli elettroni, con conseguente elevata efficienza. Il silicio policristallino, d'altro canto, è costituito da strutture cristalline multiple, che possono impedire il flusso degli elettroni e comportare una minore efficienza, ma è più economico da produrre.

La produzione di wafer di silicio da 300 mm per celle solari comporta processi simili a quelli utilizzati nell'industria dei semiconduttori, tra cui il taglio dei wafer e la lucidatura. Tuttavia, i wafer utilizzati nelle celle solari sono in genere più spessi e meno puri di quelli utilizzati nell'industria dei semiconduttori. Nonostante queste differenze, le proprietà fondamentali dei wafer di silicio da 300 mm, tra cui le loro proprietà elettriche e termiche, li rendono un componente essenziale nella produzione di celle solari.

Altri usi dei wafer di silicio da 300 mm
I wafer di silicio ultra-puri da 300 mm offrono una tela incontaminata su cui fabbricare i circuiti integrati fondamentali per tutta l'elettronica. Gli utilizzi includono:

Microprocessori - I chip centrali che alimentano computer e smartphone
DRAM e memoria flash: miliardi di celle di memoria al silicio su chip
Sensori CMOS - Sensori di immagine che catturano la luce nelle fotocamere degli smartphone e altro ancora
Dispositivi di potenza - Progetti specializzati nella gestione dell'elettricità nei sistemi
MEMS - Piccoli sistemi meccanici ed elettromeccanici in silicio
Circuiti ottici - Le guide d'onda e i dispositivi fotonici integrano l'ottica

Domande frequenti

D: Quanti transistor ci sono su un moderno wafer di silicio da 300 mm?

R: I wafer all'avanguardia per processori come i chip più recenti di Intel e AMD ora racchiudono oltre 100 miliardi di transistor in un singolo die di silicio grazie a processi di fabbricazione con caratteristiche che vanno da 5-7 nanometri di diametro.

D: Qual è la dimensione massima del wafer di silicio da 300 mm utilizzata oggi?

R: Mentre lo standard del settore rimane wafer da 300 mm (12 pollici) di diametro, alcune fonderie specializzate come TSMC stanno iniziando a spostare piccole produzioni su wafer più grandi da 450 mm per migliorare le economie di scala. Tuttavia, sfide tecniche estreme relative ai tassi di difettosità e alla disponibilità di apparecchiature di fabbricazione limitano attualmente l'adozione mainstream.

D: Quanto costa un singolo wafer di silicio da 300 mm?

R: I prezzi variano enormemente in base alle dimensioni del wafer, ai gradi di purezza, alla finitura superficiale, ai processi di fabbricazione, ai test e altro ancora. Ma approssimativamente, i wafer da 200-300mm variano tra $ 20 nella fascia molto bassa fino a $ 20,000 per configurazioni di semiconduttori composti altamente esotici pensati per ASIC specializzati e applicazioni spaziali/difesa.

D: Come vengono trasformati i wafer di silicio da 300 mm in chip e componenti elettronici per i consumatori finali?

R: Dopo che la fabbricazione del wafer termina di imprimere miliardi di componenti elettrici come circuiti integrati sulla superficie del silicio, le singole matrici vengono tagliate e sottoposte a test approfonditi, ispezioni, confezionamento in involucri protettivi e distribuzione finale ai produttori di componenti elettronici che le incorporano nei prodotti finiti!

D: In futuro potremmo realizzare processori con materiali diversi dal silicio?

R: La ricerca sta esplorando intensamente nuovi materiali semiconduttori come nitruro di gallio, nanotubi di carbonio, solfuro di molibdeno e altro ancora. Ognuno offre allettanti vantaggi in termini di velocità di carica, comportamento termico e potenziale di elaborazione. Mentre il silicio continuerà sicuramente a dominare per decenni, nuovi substrati rivoluzionari probabilmente trasformeranno di nuovo l'elettronica un giorno!

D: Cosa potrebbe migliorare in futuro le tecniche di fabbricazione dei wafer di silicio da 300 mm?

R: Rimangono enormi opportunità per migliorare la precisione, la scala e la produttività nell'intera pipeline di produzione dei wafer. Dalla purificazione e crescita dei cristalli, allo slicing, alla lucidatura e all'ispezione, siamo costantemente alla ricerca di wafer più grandi con dimensioni delle caratteristiche più piccole e meno difetti attraverso laser migliori, processi chimici, automazione e controllo qualità. C'è ancora molto spazio per l'innovazione ingegneristica!

D: Cosa sono i wafer di silicio da 300 mm?

A: I wafer di silicio da 300 mm sono sottili fette di silicio che servono come substrato per la fabbricazione di dispositivi elettronici. Sono prodotti da silicio ultra-puro attraverso una serie di processi complessi, tra cui il processo Czochralski, il taglio dei wafer e la lucidatura.

D: Perché nel settore tecnologico vengono utilizzati wafer di silicio da 300 mm?

A: I wafer di silicio da 300 mm sono utilizzati nel settore tecnologico per le loro proprietà elettriche e termiche uniche. Queste proprietà, unite all'elevata purezza del silicio, lo rendono un materiale ideale per circuiti integrati e altre produzioni di semiconduttori, nonché per le celle solari.

D: Quali sono le sfide nella produzione di wafer di silicio da 300 mm?

R: La produzione di wafer di silicio da 300 mm comporta diverse sfide, tra cui il mantenimento della purezza del silicio durante tutto il processo di produzione e la gestione degli elevati costi associati al processo. Sono state sviluppate soluzioni per affrontare queste sfide, tra cui l'ottimizzazione del processo, il riciclaggio del silicio e l'uso di materiali alternativi.

D: Quale sarà il futuro della produzione di wafer di silicio da 300 mm?

R: Il futuro della produzione di wafer di silicio da 300 mm probabilmente comporterà ulteriori progressi nella tecnologia di produzione, volti ad aumentare l'efficienza, ridurre i costi e migliorare la qualità dei wafer. Questi progressi, uniti alla domanda continua di wafer di silicio da 300 mm nel settore tecnologico, garantiscono la produzione e l'uso continui di questo materiale essenziale.

D: Quali sono i tre tipi di wafer di silicio da 300 mm?

R: La scelta del wafer di silicio da 300 mm dipende dall'applicazione. I wafer monocristallini sono la scelta più comune per i circuiti integrati, mentre i wafer policristallini sono spesso utilizzati per le celle solari e i LED. I wafer di silicio amorfo da 300 mm sono meno comuni, ma a volte vengono utilizzati per applicazioni in cui il costo è una considerazione importante.

D: Quanto può essere puro un wafer di silicio da 300 mm?

R: I wafer sono formati da materiale monocristallino altamente puro, quasi privo di difetti, con una purezza del 99,9999999% (9N) o superiore.

D: Quanto è conduttivo un wafer di silicio da 300 mm?

R: Una delle proprietà più importanti dei wafer di silicio da 300 mm è la loro conduttività elettrica. Il silicio è un semiconduttore, il che significa che la sua conduttività elettrica è compresa tra quella di un conduttore, come il rame, e quella di un isolante, come il vetro.

D: Con cosa vengono drogati i wafer di silicio da 300 mm?

R: Per produrre cariche positive o negative, il wafer di silicio da 300 mm può essere drogato con silicio di tipo P o di tipo N. Boro, fosforo, arsenico e antimonio sono solo alcune delle impurità che possono essere aggiunte quando il drogaggio viene eseguito durante il processo di formazione.

D: I wafer di silicio da 300 mm sono fragili?

R: Sono un po' fragili e abbastanza facili da rompere, ma non si sfalderanno tra le mani. Di solito, non vengono mai toccati a mani nude perché il sodio nel sudore si diffonderà nel wafer e lo renderà inutilizzabile.

Perché scegliere noi

I nostri prodotti provengono esclusivamente dai cinque principali produttori mondiali e dalle principali fabbriche nazionali. Supportato da team tecnici nazionali e internazionali altamente qualificati e da rigorose misure di controllo della qualità.

Il nostro obiettivo è fornire ai clienti un supporto individuale completo, garantendo canali di comunicazione fluidi che siano professionali, tempestivi ed efficienti. Offriamo una quantità minima d'ordine bassa e garantiamo una consegna rapida entro 24 ore.

Spettacolo di fabbrica

Il nostro vasto inventario è composto da 1000+ prodotti, garantendo che i clienti possano effettuare ordini anche per un solo pezzo. Le nostre attrezzature di proprietà per la cubettatura e la macinazione e la piena collaborazione nella catena industriale globale ci consentono una spedizione rapida per garantire al cliente soddisfazione e convenienza da un unico punto di riferimento.

Il nostro certificato

La nostra azienda è orgogliosa delle varie certificazioni che abbiamo ottenuto, tra cui il nostro certificato di brevetto, il certificato ISO9001 e il certificato National High-Tech Enterprise. Queste certificazioni rappresentano la nostra dedizione all'innovazione, alla gestione della qualità e all'impegno per l'eccellenza.

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