Descrizione del prodotto
CZ Silicon Wafer è un substrato di silicio di alta qualità utilizzato nella produzione di dispositivi semiconduttori avanzati. Per produrre questi wafer di silicio viene utilizzato il metodo CZ (Czochralski), garantendo un elevato livello di purezza e uniformità. Questo tipo di wafer di silicio vanta prestazioni elettriche superiori e una bassa densità di difetti, rendendolo la scelta ideale per un'ampia gamma di applicazioni di semiconduttori.
Il wafer di silicio CZ è noto per la sua eccellente planarità, qualità superficiale e orientamento cristallografico. Queste qualità consentono la produzione di dispositivi a semiconduttore ad alte prestazioni con affidabilità ed efficienza superiori. Il metodo CZ consente la produzione di wafer di diametro maggiore rispetto ad altre tecniche, come il metodo Float Zone, che può portare a una maggiore resa e a minori costi di produzione.
Inoltre, i wafer di silicio CZ sono altamente personalizzabili, con specifiche che possono essere adattate per soddisfare i requisiti specifici di diverse applicazioni di semiconduttori. Ciò li rende una soluzione versatile per i produttori che desiderano produrre dispositivi elettronici avanzati con prestazioni e affidabilità superiori.
Nel complesso, CZ Silicon Wafer è un substrato di alta qualità che ben si adatta a un'ampia gamma di applicazioni di semiconduttori. Le sue proprietà elettriche superiori, la bassa densità di difetti e l'elevato livello di purezza lo rendono la scelta ideale per i produttori che desiderano produrre dispositivi elettronici all'avanguardia.
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Crescita |
CZ, MCZ, FZ |
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Grado |
Prime, Test, Fittizio, ecc. |
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Diametro |
Sono possibili anche altri diametri, come 10 mm, 12,7 mm, 1,5 ", 35 mm, 40 mm, 2,5" |
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Spessore |
50~3000um |
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Fine |
Come tagliato, lappato, inciso, SSP, DSP, ecc |
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Orientamento |
(100) (111) (110) (211) (311) (511) (531) ecc. |
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Fuori taglio |
Fino a 4 gradi |
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Tipo/Drogante |
P/B, N/Fos, N/As, N/Sb, Intrinseco |
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Resistività |
FZ: fino a 20k ohm-cm |
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CZ/MCZ: da 0.001 a 150 ohm-cm |
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Film sottili |
* PVD: Al, Cu, Au, Cr, Si, Ni, Fe, Mo, ecc. |
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* PECVD: Ossido, Nitruro, SiC, ecc. |
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* Wafer epitassiali di silicio e servizi epitassiali (SOS, GaN, GOI ecc.). |
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Processi |
DSP, ultra sottile, ultra piatto, ecc. |
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Ridimensionamento, rettifica, cubettatura, ecc. |
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MEMS |
Immagine del prodotto
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