Descrizione del prodotto
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Crescita |
CZ, MCZ, FZ |
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Grado |
Prime, Test, Fittizio, ecc. |
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Diametro |
8 pollici/200 mm |
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Spessore |
200~3000um |
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Fine |
Come tagliato, lappato, inciso, SSP, DSP, ecc. |
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Orientamento |
(100) (111) (110) (531) (553) ecc. |
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Fuori taglio |
Fino a 4 gradi |
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Tipo/Drogante |
P/B, N/Fos, N/As, N/Sb, Intrinseco |
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Resistività |
CZ/MCZ: da 0.001 a 1000 ohm-cm |
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FZ: fino a 20k ohm-cm |
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Film sottili |
* PVD: Al, Cu, Au, Cr, Si, Ni, Fe, Mo. ecc., Spessori rivestimento fino a 20, 000 Å / ± 5 % |
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* LPCVD/PECVD: Ossido, Nitruro, SiC, ecc., Spessori rivestimento fino a 200, 000 Å / ± 3 % |
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* Wafer epitassiali di silicio e servizi epitassiali (SOS, GaN, GOI ecc.). |
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Processi |
DSP, ultra sottile, ultra piatto, ecc. |
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Ridimensionamento, rettifica, cubettatura, ecc. |
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MEMS |
Il wafer di silicio da 8 pollici vanta un'ampia superficie, offrendo ai produttori ampio spazio per creare circuiti e modelli necessari per le tecnologie avanzate. È realizzato meticolosamente per garantire prestazioni e affidabilità ottimali, consentendo la produzione di prodotti elettronici di alto livello.
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