Inventario dell'inventario del wafer di silicio da 4,6,8 pollici

Aggiornamento dell'inventario del wafer di silicio da 4,6,8 pollici _202506

Jun 20, 2025 Lasciate un messaggio

QUANTITÀ	PRODOTTO	DIAMETRO	CRISTALLO	TIPO	Drogante	ORIENTAMENTO	SPESSORE	Resistività
501061S	Al	200	Cz	P	B	100	725±25	1~100	200-300 a Ti seguito da 8000A PVD sputtered al-Cu 0,5%
501201	Epitassiale	200	Cz	P	B	100	700~750	<0.1	P/b t1 ~ 50/r1 ~ 50, mfg 22- May -2024
501202	Epitassiale	200	Cz	N	Ph rosso	100	700~750	0~0.05	N/ph t1 ~ 10/r0.01 ~ 1, mfg 27- May -2024
522101	LUCIDO	200	Cz	P	B	100	710~740	0.01~0.02
522102	LUCIDO	200	Cz	P	B	100	710~740	0.009~0.02
522103	LUCIDO	200	Cz	P	B	100	710~740	0.015~0.02
522104	LUCIDO	200	Cz	P	B	100	705~745	0.014~0.022
522105	LUCIDO	200	Cz	P	B	100	710~740	0.014~0.02
522106	LUCIDO	200	Cz	P	B	100	725±15	0.001~0.003
522107	LUCIDO	200	Cz	P	B	100	710~740	0.0025~0.0035
522108	LUCIDO	200	Cz	P	B	100	725±15	0.005~0.01
522109	LUCIDO	200	Cz	P	B	100	710~740	0.002~0.0033
522110	LUCIDO	200	Cz	P	B	100	725±15	0.0035~0.004
522111	LUCIDO	200	Cz	P	B	100	640±13	0.012~0.0175	Lto+nolm
522112	LUCIDO	200	N / A	N	COME	100	725±15	0.001~0.003
522113	LUCIDO	200	Cz	P	B	111	725±15	0.005~0.01
522114	LUCIDO	200	Cz	P	B	100	725±50	1~65
522115	LUCIDO	200	Cz	P	B	100	725±15	Meno o uguale a 40
522116	LUCIDO	200	Cz	P	B	100	725±15	0.002~0.003
522117	LUCIDO	200	Cz	P	B	100	710~740	0.0033~0.005
522118	LUCIDO	200	Cz	P	B	100	725±15	0.003~0.004
522119	LUCIDO	200	Cz	P	B	100	725±15	0.001~0.003
522120	LUCIDO	200	Cz	P	B	111	725±20	0.002~0.005
522121	LUCIDO	200	Cz	P	B	100	725±15	0.003~0.0035
522122	LUCIDO	200	Cz	P	B	100	725±15	0.008~0.02
522123	LUCIDO	200	Cz	P	B	100	725±15	0.0023~0.004
522124	Inciso	200	N / A	N / A	N / A	N / A	745	N / A	Lto+nolm
522125	LUCIDO	200	Cz	P	B	100	705~745	0.01~0.02	Lto+nolm
So617prau	Sputtered Au	150	Cz	P	B	100	500±15	10~25	Sputtered ti30nm+au100nm
PS241025006	Soi	200	Cz	P	B	100	650±5	8~12	Dispositivo: 30 ± 0 . 5μm, 0,01 ~ 0,02 ohm.cm / box: 1 ± 0,1 μm, Notch<110>
503141	LUCIDO	100	Cz	P	B	110	20000±100	1~100
PS250407006	Soi	200	Cz	N	Ph	100	725±10	1~10	Dispositivo: 2 ± 0,5 μm / scatola: 1000 Nm ± 5%
PS250407007	Soi	200	Cz	N	Ph	100	725±10	1~10	Dispositivo: 10 ± 0,5 μm / scatola: 1000 nm ± 5%
PS250407008	Soi	200	Cz	N	Ph	100	725±10	1~10	Dispositivo: 3 ± 0,5 μm / scatola: 1000 nm ± 5%
505061	JGS1	100					555±7		DSP, SQ ＜ 0,5 nm, 10/5, TTV<5μm, Flat 32.5mm
505301	Ossido+nitruro	200	Cz	P	B	100	725±25	1~100	3μm ossido termico +300 nm LPCVD Nitride
203171pw3pt	Sputtered pt	150	Cz	N	Ph	100	675±25	0.001~0.005	3000A ossido termico+Ti50nm+pt 200nm
506162	LUCIDO	200	Cz	N	Ph	100	700~750	1000~12000	N/ph t1 ~ 10/r0.01 ~ 1, mfg 27- May -2024