Substrato di arseniuro di gallio

Substrato di arseniuro di gallio

Uno dei principali vantaggi del substrato di arseniuro di gallio è la sua elevata mobilità elettronica. Ha una mobilità elettronica maggiore rispetto ad altri materiali semiconduttori come il silicio, il che lo rende ideale per dispositivi ad alta velocità e basso rumore.
Invia la tua richiesta
Chatta adesso
Descrizione
Parametri tecnici
Descrizione del prodotto

 

Uno dei principali vantaggi del substrato di arseniuro di gallio è la sua elevata mobilità elettronica. Ha una mobilità elettronica maggiore rispetto ad altri materiali semiconduttori come il silicio, il che lo rende ideale per dispositivi ad alta velocità e basso rumore. Inoltre, ha un bandgap diretto che gli consente di produrre efficienti diodi emettitori di luce che emettono nelle regioni del visibile e dell'infrarosso.

 

Un altro vantaggio di questo substrato è la sua elevata conduttività termica, che aiuta a dissipare rapidamente il calore. Questa funzionalità è particolarmente utile nelle applicazioni di elettronica di potenza in cui la dissipazione del calore è fondamentale. Il substrato di arseniuro di gallio ha anche un'elevata tensione di rottura, che ne garantisce l'affidabilità anche in condizioni di alta tensione.

 

Dimensioni e tolleranze standard per wafer GaAs da 150 mm di diametro

Proprietà

Dimensione

Tolleranza

Unità

Diametro

150

+/-0.5

mm

Spessore, punto centrale

     

Opzione A

675

+/-25

μm

Opzione B

550

+/-25

μm

Orientamento della tacca

[010]

+/-2

gradi

Profondità della tacca

1

+0.25/-0.0

mm

       

Dimensioni e tolleranze standard per wafer GaAs da 100 mm di diametro

Proprietà

Dimensione

Tolleranza

Unità

Diametro

100

+/-0.5

mm

Spessore, punto centrale

675

+/-25

μm

Lunghezza piatta primaria

18

+/-2

mm

Lunghezza piatta secondaria

18

+/-2

mm

Disponibili opzioni US/SEMI ed E/J-Flat

     
       

Dimensioni e tolleranze standard per wafer GaAs da 200 mm di diametro

Proprietà

Dimensione

Tolleranza

Unità

Diametro

200

+/-0.5

mm

Spessore, punto centrale

625

+/-25

μm

Orientamento della tacca

[010]

+/-2

gradi

Profondità della tacca

1

+0.25/-0.0

mm

       

Dimensioni e tolleranze standard per wafer GaAs da 3 pollici di diametro

Proprietà

Dimensione

Tolleranza

Unità

Diametro

76.2

+/-0.5

mm

Spessore, punto centrale

625

+/-25

μm

Lunghezza piatta primaria

22

+/-2

mm

Lunghezza piatta secondaria

11

+/-2

mm

Disponibili opzioni US/SEMI ed E/J-Flat

     

 

Immagine del prodotto

4 11

4

Perché scegliere noi

 

I nostri prodotti provengono esclusivamente dai cinque principali produttori mondiali e dalle principali fabbriche nazionali. Supportato da team tecnici nazionali e internazionali altamente qualificati e da rigorose misure di controllo della qualità.

Il nostro obiettivo è fornire ai clienti un supporto individuale completo, garantendo canali di comunicazione fluidi che siano professionali, tempestivi ed efficienti. Offriamo una quantità minima d'ordine bassa e garantiamo una consegna rapida entro 24 ore.

 

Spettacolo di fabbrica

 

Il nostro vasto inventario è composto da 1000+ prodotti, garantendo che i clienti possano effettuare ordini anche per un solo pezzo. Le nostre attrezzature di proprietà per la cubettatura e la macinazione e la piena collaborazione nella catena industriale globale ci consentono una spedizione rapida per garantire al cliente soddisfazione e convenienza da un unico punto di riferimento.

01
02
03

 

Il nostro certificato

 

La nostra azienda è orgogliosa delle varie certificazioni che abbiamo ottenuto, tra cui il nostro certificato di brevetto, il certificato ISO9001 e il certificato National High-Tech Enterprise. Queste certificazioni rappresentano la nostra dedizione all'innovazione, alla gestione della qualità e all'impegno per l'eccellenza.

01
02
03
04
05
06
07
08
09
10
11
12
13
14

 

Etichetta sexy: Substrato di arseniuro di gallio, produttori di substrati di arseniuro di gallio in Cina, fornitori, fabbrica