Descrizione

Parametri tecnici

Descrizione del prodotto

Il wafer epi SiC è un prodotto semiconduttore avanzato e di alta qualità sul mercato. È un tipo di wafer epitassiale in carburo di silicio che fornisce prestazioni eccellenti in varie applicazioni elettroniche e ottiche. Il wafer epi SiC è prodotto utilizzando tecniche avanzate di crescita dei cristalli, risultando in un materiale di alta qualità con proprietà superiori.

Uno dei vantaggi significativi del wafer epi SiC è l'elevata tensione di rottura, che lo rende la scelta ideale per applicazioni ad alta potenza e ad alta temperatura. È inoltre altamente resistente alle sollecitazioni termiche e meccaniche, il che garantisce stabilità e durata anche in ambienti difficili. Le sue eccellenti proprietà di conduttività termica consentono un'efficiente dissipazione del calore, riducendo il rischio di danni termici ai componenti elettronici.

Il wafer epi SiC è ampiamente utilizzato in vari dispositivi elettronici e optoelettronici, tra cui elettronica di potenza, illuminazione e sensori. Fornisce prestazioni e affidabilità eccellenti, anche in applicazioni impegnative che richiedono temperature elevate e potenza elevata. Inoltre, è un'alternativa ecologica e sostenibile ai tradizionali materiali a base di silicio, rendendolo la scelta ideale per i consumatori attenti all'ambiente.

4H TIPO N SiC 100MM, 350SPECIFICHE WAFER μm
Numero dell'articolo	W4H100N-4-PO (o CO)-350
Descrizione	Substrato SiC 4H
Politipo	4H
Diametro	(100+0.0-0.5) mm
Spessore	(350±25) μm (grado tecnico ±50μm)
Tipo di corriere	tipo n
Dopante	Azoto
Resistività (RT)	0.012-0.025Ω Actually cm (grado di ingegneria<0.025Ω▪cm)
Orientamento dei wafer	(4+0.5) grado
	Grado di ingegneria	Grado di produzione	Grado di produzione
	2.1	2.2	2.3
Densità del microtubo	Inferiore o uguale a 30 cm-²	Inferiore o uguale a 10 cm-²	Inferiore o uguale a 1 cm-²
Zona libera da microtubi	Non specificato	Maggiore o uguale al 96%	Maggiore o uguale al 96%
Orientamento piatto (OF)
Orientamento	Parallelo {1-100} ±5 gradi
Lunghezza piatta di orientamento	(32,5±2,0) mm
Appartamento identificativo (IF)
Orientamento	Si-face: 90 gradi in senso orario, dall'orientamento piatto ±5 gradi
lunghezza piatta di identificazione	(18,0+2.0) mm
Superficie	Opzione 1: Lucidatura standard Si-face Lucidatura ottica C-face Epi-ready
	Opzione 2: Si-face CMP Epi-ready, lucidatura ottica C-face
Pacchetto	Scatola di spedizione per wafer multipli (25).
	(Confezione wafer singola su richiesta)

SPECIFICHE WAFER 6H TIPO N SiC, 2".
Numero dell'articolo	W6H51N-0-PM-250-S
Descrizione	Substrato SiC di grado 6H di produzione
Politipo	6H
Diametro	(50,8±38) mm
Spessore	(250±25) u.m
Tipo di corriere	tipo n
Dopante	Azoto
Resistività (RT)	0.06-0.10Ω§cm
Orientamento dei wafer	(0+0.5) grado
Densità del microtubo	Inferiore o uguale a 100 cm-²
Orientamento orientamento piatto	Parallelo {1-100} ±5 gradi
Lunghezza piatta di orientamento	(15,88±1,65) mm
Orientamento piatto di identificazione	Si-faccia: 90 gradi in senso orario. orientamento della fronte piatto ±5 gradi
lunghezza piatta di identificazione	(8+1.65) mm
Superficie	Smalto standard Si-face Epi-ready
Superficie	Faccia C opaca
Pacchetto	Confezione di un pacchetto di wafer singolo o di una scatola di spedizione per wafer multipli

Immagine del prodotto

SiC GaN Wafer1

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