Introduzione di base del wafer di silicio SOI

L'azienda è in grado di fornire ai clienti varie specifiche e wafer di silicio SOI di alta qualità (Silicon On Insulator-Silicon On Insulator), adatti a clienti in un'ampia gamma di applicazioni tra cui MEMS, dispositivi di potenza, sensori di pressione e produzione di circuiti integrati CMOS. I wafer SOI forniscono una buona soluzione per dispositivi ad alta velocità e a basso consumo e sono ampiamente considerati come una nuova soluzione per dispositivi RF e ad alta tensione. Il wafer SOI è una struttura a sandwich simile a un sandwich con tre strati; compreso lo strato superiore (strato del dispositivo), lo strato intermedio di ossido sepolto (strato isolante di SiO2) e il substrato inferiore (silicio sfuso). I wafer SOI vengono prodotti utilizzando il metodo SIMOX e la tecnologia di incollaggio dei wafer, in modo da poter ottenere strati del dispositivo più sottili e precisi, spessore uniforme e bassa densità di difetti.